三星明年量产430层闪存!但有人瞄准了1000+层
2024-06-02 08:51:25

快科技4月16日消息 ,星明三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存 ,年量可用的产层堆叠层数达290层,相比现在的闪存澳门正版资料大全免费歇后语236层只增加不到23%  。

这一代新闪存将采用新的人瞄堆叠架构 ,底部是准层正版49图库CMOS层加逻辑电路  ,上边是星明145层闪存阵列 ,再上边又是年量145层闪存阵列。

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这种方法虽然更复杂,产层但是闪存良品率可以得到很好的保障,而且可以轻松进一步拓展 。人瞄

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按照三星的准层规划 ,2025年下半年将量产第十代V-NAND ,星明澳门四不像网进一步堆叠到430层 。年量

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更遥远的产层未来,三星可能会在2030年左右做到1000层。

中国长江存储可能会在今年下半年量产300层 ,SK海力士计划明年初量产321层,铠侠号称2031年量产1000多层 !


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(作者:管家婆三期必开一码一肖)